InSb
Антимонид Индия
Стандартные спецификации*
Монокристаллы

Легирующая примесь

нелегированный

Te

Ge, Mn

Тип проводимости

n

n

p

Концентрация носителей, см-3 (77K)

(3 - 7)x1014

7x014 - 1x1018

1x1015 - 5x1018

Подвижность, см2/В.с (77K)

> 4x105

4x105 - 2x104

6.5x103 - 1x102

Плотность дислокаций, см-2

≤200

Пластины
Диаметр, мм

50.8 ± 0.3
Толщина, мкм

450 ± 15
Ориентация поверхности

(100)           (111)
Точность ориентации 

± 0.5°          ± 0.1°
Отклонение от точной ориентации

(1 - 10) ± 0.1° tв заданном направлении
Базовый и дополнительный срезы
по стандартам SEMI M9, US SEMI and E/J SEMI Standard
Обработка поверхности
                    лицевая сторона
                    обратная сторона 


полированная, годная к эпитаксии
полированная, шлифовано-травленая
Упаковка

индивидуальная

[Главная страница] [Полупроводниковые соединения А3В5 ] [О компании] 

ООО "ГИРМЕТ" 119017, Москва, Б.Толмачевский пер. д. 5, Россия
Teл: (495) 956-0918, факс: (495) 956-4944
E-mail: sales@girmet.com