InAs
Арсенид Индия
Стандартные спецификации*
Монокристаллы

Легирующая примесь	нелегированный	S	Zn , Mn
Тип проводимости	n	n	p
Концентрация носителей, см-3	≤3x1016	1x1017 - 3x1018	5x1016 - 5x1018
Подвижность, см2/В.с	≥20000	≥10000	≥100
Плотность дислокаций, см-2	≤5x104

Пластины

Диаметр, мм	50.8 ± 0.3
Толщина, мкм	450 ± 15
Ориентация поверхности	(100)
Точность ориентации	± 0.5°          ± 0.1°
Отклонение от точной ориентации	(1 - 10) ± 0.1° towards the specified face
Базовый и дополнительный срезы	SEMI M9, US SEMI and E/J SEMI Standard
Обработка поверхности                     лицевая сторона                     обратная сторона	полированная, годная к эпитаксии полированная, шлифовано-травленая
Упаковка	индивидуальная

* Delivery of customized single crystals and wafers with non-standard specifications is provided