Антимонид галлия,  GaSb
Стандартные спецификации*


Монокристаллы

Легирующая примесь

нелегированный

Te

Si или Ge

Тип проводимости

p

n

p

Концентрация носителей, см-3  

£ 2.1017 (300К)
£ 2.1016 (77К)

2×1017 - 1.2×1018

3×1017 - 1×1019

Подвижность, см2/В.с

³ 700 (300К)
³
2000 (77К)

2500 - 3500

1000 - 250

Плотность дислокаций, см-2

£ 5x103

£ 2x103

£ 2x103

Пластины

Диаметр, мм

50.8 ± 0.3

Толщина, мкм

450 ± 15

Ориентация поверхности

(100)                    (111)

Точность ориентации

± 0.5°                   ± 0.1°  

Отклонение от точной ориентации

(1 - 10)  ± 0.1° в заданном направлении

Базовый и дополнительный срезы

По стандарту SEMI M9, US SEMI и E/J SEMI

Обработка поверхности
                    лицевая сторона
                    обратная сторона 


полированная, годная к эпитаксии
полированная, шлифовано-травленая

Упаковка

индивидуальная

* Возможна поставка монокристаллов и пластин с нестандартными параметрами по запросу заказчика.


[Главная страница] [Полупроводниковые соединения А3В5 ] [О компании

ООО "ГИРМЕТ" 119017, Москва, Б.Толмачевский пер. д. 5, Россия
Teл: (495) 956-0918,
факс: (495) 956-4944

E-mail:
sales@girmet.com