Антимонид галлия, GaSb
Стандартные спецификации*
Монокристаллы
|
Легирующая примесь |
нелегированный |
Te |
Si или Ge |
|
Тип проводимости |
p |
n |
p |
|
Концентрация носителей, см-3 |
£
2.1017 (300К) |
2×1017 - 1.2×1018 |
3×1017 - 1×1019 |
|
Подвижность, см2/В.с |
³ 700 (300К) |
2500 - 3500 |
1000 - 250 |
|
Плотность дислокаций, см-2 |
£ 5x103 |
£ 2x103 |
£ 2x103 |
Пластины
|
Диаметр, мм | 50.8 ± 0.3 | |
|
Толщина, мкм |
450 ± 15 |
|
|
Ориентация поверхности |
(100) (111) |
|
|
Точность ориентации |
± 0.5° ± 0.1° |
|
|
Отклонение от точной ориентации |
(1 - 10) ± 0.1° в заданном направлении |
|
|
Базовый и дополнительный срезы |
По стандарту SEMI M9, US SEMI и E/J SEMI |
|
|
Обработка поверхности |
|
|
|
Упаковка |
индивидуальная |
|
* Возможна поставка монокристаллов и пластин с нестандартными параметрами по запросу заказчика.
[Главная
страница] [Полупроводниковые
соединения А3В5 ]
[О
компании]
ООО "ГИРМЕТ"
119017,
Москва, Б.Толмачевский пер.
д. 5, Россия
Teл: (495) 956-0918, факс: (495) 956-4944
E-mail: sales@girmet.com