Фосфид галлия, GaP
Стандартные спецификации*
Монокристаллы
|
Легирующая примесь |
нелегированный |
S |
Zn |
|
Тип проводимости |
n |
n |
p |
|
Концентрация носителей, см-3 |
≤1x 1016 |
1x1017 - 2x1018 |
2x1017 - 2x1018 |
|
Подвижность, см2/В.с |
≥100 |
≥60 |
≥60 |
|
Плотность дислокаций, см-2 |
≥2x105 |
≥2x105 |
≥2x105 |
Пластины
|
Диаметр, мм |
50.8 ± 0.3 76.2 ± 0.3 |
|
Толщина, мкм |
300 ± 15 400 ± 15 |
|
Ориентация поверхности |
(100) (111) |
|
Точность ориентации |
± 0.5° ± 0.1° |
|
Отклонение от точной ориентации |
(1 - 10) ± 0.1° в заданном направлении |
|
Базовый и дополнительный срезы |
По стандарту SEMI M9, US SEMI и E/J SEMI |
|
Обработка
поверхности |
|
|
Упаковка |
индивидуальная |
* Возможна поставка монокристаллов и пластин с нестандартными параметрами по запросу заказчика.
[Главная
страница] [Полупроводниковые
соединения А3В5 ]
[О
компании]
ООО "ГИРМЕТ"
119017, Москва, Б.Толмачевский пер.
д. 5, Россия
Teл: (495) 956-0918, факс: (495) 956-4944
E-mail: sales@girmet.com