Фосфид галлия,  GaP
Стандартные спецификации*


Монокристаллы

Легирующая примесь

нелегированный

S

Zn

Тип проводимости

n

n

p

Концентрация носителей, см-3

1x 1016

1x1017 - 2x1018

2x1017 - 2x1018

Подвижность, см2/В.с

100

60

60

Плотность дислокаций, см-2

2x105

2x105

2x105

Пластины

Диаметр, мм

50.8 ± 0.3           76.2 ± 0.3

Толщина, мкм

300 ± 15             400 ± 15

Ориентация поверхности

(100)                   (111) 

Точность ориентации

± 0.5°                   ± 0.1°  

Отклонение от точной ориентации

(1 - 10)  ± 0.1° в заданном направлении

Базовый и дополнительный срезы

По стандарту SEMI M9, US SEMI и E/J SEMI

Обработка поверхности
                    лицевая сторона
                    обратная торона 


полированная, годная к эпитаксии
полированная, шлифовано-травленая

Упаковка

индивидуальная

* Возможна поставка монокристаллов и пластин с нестандартными параметрами по запросу заказчика.


[Главная страница] [Полупроводниковые соединения А3В5 ] [О компании

ООО "ГИРМЕТ" 119017, Москва, Б.Толмачевский пер. д. 5, Россия
Teл: (495) 956-0918, факс: (495) 956-4944

E-mail
: sales@girmet.com