GaAs
Арсенид Галлия
Стандартная спецификация*

Монокристаллы, выращенные методом
вертикальной направленной кристаллизации (VGF)

Материал		Полуизолирующий	Полупроводящий
Легирующая примесь		нелегированный	Si	Zn
Тип проводимости		n	n	p
Концентрация носителей, см-3		-	5x1017 - 3x1018	5x1018 - 3x1019
Удельное сопротевление, Oм.cm		>1x107	-	-
Подвижность, см2/В.с		>5000	2400-1200	70-40
Плотность дислокаций, см-2	Ø50.8 мм	<5000	<500 или <5000	<500 или <5000

Монокристаллы, выращенные методом
Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC)

Материал		Полуизолирующий	Полупроводящий
Легирующая примесь		нелегированный	Si или Te	Zn
Тип проводимости		n	n	p
Концентрация носителей, см-3		-	1x1017 - 3x1018	1x1017 - 3x1019
Удельное сопротевление, Oм.cm		>1x107	-	-
Подвижность, см2/В.с		>5000	4200-1200	170-40
Плотность дислокаций, см-2	Ø50.8 мм Ø76.2 мм	<5x104 или <8x104 <8x104 или <1x105	<5x104 или <8x104 <8x104 или <1x105	<5x104 или <8x104 <8x104 или <1x105

Пластины

Диаметр, мм	50.8 ± 0.3 , 76.2± 0.3
Толщина, мкм	350 ± 15, 400 ± 15 ,450 ± 15, 500 ± 15
Ориентация поверхности	(100), (111), (110), (211), (310)
Точность ориентации	± 0.5°          ± 0.1°
Отклонение от точной ориентации	(1 - 10) ± 0.1° в заданном направлении
Базовый и дополнительный срезы	согласно стандарту SEMI M9 (US SEMI или E/J SEMI) для (100), для других ориентаций - по выбору заказчика
Обработка поверхности                 лицевая сторона                 обратная торона	полированная, годная к эпитаксии полированная, шлифовано-травленая
Упаковка	индивидуальная, двойная, внутренняя вакуумизированная, внешняя заполнена инертным газом

* Возможна поставка монокристаллов и пластин с нестандартными параметрами по запросу заказчика

[Главная страница] [Полупроводниковые соединения А3В5 ] [О компании] 

ООО "ГИРМЕТ" 119017, Москва, Б.Толмачевский пер. д. 5, Россия
Teл: (495) 956-0918, факс: (495) 956-4944
E-mail: sales@girmet.com